SAT 210等離子去膠機

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    一、設備定義與核心功能??
   SAT 210等離子去膠機是一種利用??低溫氧等離子體??選擇性去除晶圓表面??光刻膠（Photoresist）??的干法工藝設備，廣泛應用于半導體制造、先進封裝、MEMS（微機電系統）等領域。其核心功能是通過物理轟擊與化學反應的雙重作用，實現光刻膠的高效、無殘留去除，同時避免對底層材料（如金屬、介質層）的損傷。
    ??二、核心工作原理??
    ??1.氧等離子體主導反應??
    ??氣體電離??：通入高純度氧氣（O?），在射頻電場（通常13.56MHz）激發下產生等離子體，包含高活性??原子氧（O?）自由基、離子、電子及紫外線光子??。
    ??化學反應??：
    ??光刻膠（C?H?）+原子氧（O）→CO?↑+H?O↑??
    有機光刻膠被氧化分解為揮發性氣體（CO?、H?O），由真空系統抽除。
    ??2.物理輔助增強（可選）??
    對??離子注入后硬化膠??或??金屬殘留膠??，可添加??氬氣（Ar）??，利用氬離子轟擊（物理濺射）提升去除效率。
    ??反應平衡??：通過調節O?/Ar比例（典型值4:1）控制化學/物理作用占比，避免過度刻蝕損傷器件。
    ??三、SAT 210等離子去膠機主要特點
    1.實時檢測和顯示真空度,使得機器在智能控制下有了可靠的依據.
    2.真空值可自由設定,(范圍:10—60帕)為外加氣體提供了可靠的輝光啟動環境,為輝光純度提供了有利的保障,保證了實驗效果的準確性和可靠性.
    3.真空腔體采用鉸鏈側開門結構，帶有觀察窗，材料為6061材質.
    4.真空腔體、管路、閥體全部為不銹鋼材料.
    5.電容式（CCP）激發,實驗效果穩定,均勻可靠,電極板置于樣品倉內頂部懸掛.
    6.薄膜按鍵+液晶屏顯示控制,手動自動兩種模式任意切換.
    7.程序化設計，預先編輯好程序，儀器自動完成實驗.
    8.利用氣體電離后產生的等離子體的反應活性與材料表面發生的物理或者化學反應，使材料表面成分、組成和結構發生變化，并能得到某些特定的基團。
    9.無需任何耗材，使用成本低，無需特殊進行維護，在日常使用中保持儀器清潔即可。
    ??四、關鍵應用場景??
    ??1.半導體前道制程??
    ??光刻后去膠??：去除曝光顯影后的光刻膠（如ArF、KrF、EUV膠）。
    ??離子注入后去膠??：處理硬化膠層（需O?/Ar混合氣體增強）。
    ??刻蝕/沉積掩模去除??：清除金屬刻蝕（如Al、Cu）或介質沉積后的殘留膠。
    ??2.先進封裝??
    ??RDL（重布線層）制程??：去除硅通孔（TSV）、銅柱（CuPillar）上的光刻膠。
    ??晶圓級封裝（WLP）??：清理微凸點（Microbump）周圍的膠殘留。
    ??3.MEMS/顯示制造??
    ??MEMS結構釋放??：去除犧牲層光刻膠（如SOI晶圓上的Polyimide膠）。
    ??顯示面板制程??：清除TFT陣列或OLED像素定義膠層。
    ??4.特殊場景??
    ??金屬剝離（Lift-off）??：去除圖形化金屬沉積后的膠掩模，形成精細電極。
    ??灰化殘留物??：清理刻蝕/研磨后的有機聚合物殘留（如CMP后清洗）。